field-effect transistor (FET)：

无线和移动的一部分术语表:
参见双traistor和traistor .
一个场效应traistor(场效应晶体管)是一种微弱信号放大traistor常用(例如,无线信号放大)。& # 65533;设备可以放大模拟或digital
信号。& # 65533;它还可以开关直流或函数作为振荡器.

场效应晶体管,电流沿半导体路径called
英吉利海峡.
& # 65533;通道的一端,有一个电极叫做the
来源。& # 65533;
在另一端的频道,有一个电极叫做the
排水。& # 65533;
物理通道的直径是固定的,但其有效electrical
直径can
由应用程序不同的电压控制电极called
门# 65533;公司
场效应晶体管的导电率取决于在任何给定itant,the
electrical
直径的通道。& # 65533;小栅电压的变化会导致a
大variation
在当前从源到下水道。& # 65533;这就是FET
放大信号.
场效应traisto存在于两个major
classificatio。& # 65533;These
被称为结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物的
半导体FET
(MOSFET).
结型场效应晶体管具有通道coisting N-type
semiconductor
(n沟道)或p型半导体材料(p沟道);门made
opposite
半导体型强生的# 65533;负债、P-type In carried@ are电气材料”!9 the
病因电子deficiencies
新.@ holes !& # 65533;N-type In the材料,primarily@ are carrie负担;.&最新65533 ! ! @ #JFET,
结之间的边界通道和门口强生的# 65533;
通常,
这个pn结revee-biased(一个直流电压)所以no
电流之间的通道和门口。& # 65533;然而,在某些conditio
有一个小电流输入信号周期的一部分.@期间结!在MOSFET,通道可以是n型或P-type
半导体.
& # 65533;栅电极是一块金属的表面is
氧化强生的# 65533;
oxide
层电iulates门口的通道。& # 65533;this
原因,MOSFET
最初被称为iulated-gate场效应晶体管(IGFET),但this
项是现在rarely
用强生的# 65533;因为氧化层作为介质,is
基本上没有任何电流之间的门和通道的任何部分signal
周期强生的# 65533;这就给了MOSFET极其大的输入阻抗.
& # 65533;因为氧化层极薄,MOSFET susceptible
destruction
通过静电指控强生的# 65533;特别的预防措施是必要的when
处理或traporting MOS器件.
场效应晶体管具有一些优点和一些缺点相对于双相traistor强生的# 65533;有些traisto are weak-signal for Field-effect工作,例如在communicatio wireless和广播大熔炉。& # 65533;他们还有些in渠道和系统impedance高等法院请。& # 65533;FET自学,in general,第十届缔约方high-power放大,引领职能communicatio wireless大型tramitte和广播.
Field-effect fabricated onto traisto are silicon
集成电路(IC)芯片。& # 65533;一个单一集成电路可以包含成千上万的场效应晶体管,连同其他组件,如镍铁铬合金capacito,和二极管.
这是最后更新于2005年4月
发布的:玛格丽特·劳斯

最近更新时间：2015-11-30 EN