gallium arsenide field-effect transistor：砷化镓场效应晶体管

砷化镓场效应晶体管（gallium arsenide field-effect transistor，GaAsFET）是专门用在高频、超高频以及微波无线电频放大器电路中的场效应晶体管（FET）。这个频率范围横跨电磁辐射频谱，从大约30MHz到红外波段。砷化镓场效应晶体管以其灵敏性著称，并且它还有一大优点，就是它产生的内部噪音很少。这主要是因为砷化镓有很强的载流子迁移率。电子可以很容易地快速穿过半导体材料。砷化镓场效应晶体管（GaAsFET）是一种耗尽型设备，这就意味着当控制电极（门）没有电压时，它就会导电，当门有电压时，信道传导率就会降低。

　　在微弱信号无线通信以及广播接收中，GaAsFET比大多数其他类型的的场效应晶体管性能要好。一些类型的GaAsFET还用于射频功率放大器。GaAsFET还用于宇宙通信、射电天文学以及无线电爱好者所做的实验中。

最近更新时间：2009-07-29 EN